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电子行业研究报告:国盛证券-电子行业化合物半导体:5G推动射频行业飞速增长-190918

研报作者:郑震湘 来自:国盛证券 时间:2019-09-18 17:15:04
研究报告内容摘要
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  化合物半导体性能优异,发展前景广阔。化合物半导体主要指砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等第二、第三代半导体,相比第一代单质半导体,在高频性能、高温性能方面优异很多。砷化镓:具有高频、抗辐射、耐高温的特性,大规模应用于无线通讯领域,目前已经成为PA和Switch的主流材料;氮化镓:主要被应用于通讯基站、功率器件等领域,功放效率高、功率密度大,因而能节省大量电能,同时减少基站体积和质量;碳化硅:主要用于大功率高频功率器件,IHS预测到2025年SiC功率半导体的市场规模有望达到30亿美元,在未来的10年内,SiC器件将开始大范围地应用于工业及电动汽车领域,近期碳化硅产业化进度开始加速,意法、英飞凌等中游厂商开始锁定上游晶圆货源。
  5G提速,射频市场有望高速成长。4月初,美、韩率先宣布5G商用,日本向四大运营商分配5G频段,预计明年春正式商用。在海外5G积极推进商用的节奏下,全球5G推进提速预期强烈,从基站端到终端射频需求都有望加速增长。在射频器件领域,目前LDMOS、GaAs、GaN三者占比相差不大,预计到2025年,在砷化镓市场份额基本维持不变的情况下,氮化镓有望替代大部分LDMOS份额,占据射频器件市场半壁江山。
  化合物芯片国产替代踏上征程,持续加码化合物半导体。我们认为III-V族化合物半导体是三安光电下一个十年的核心成长驱动及跟踪重点,5G无线通讯基站、智能手机、WiFi与光纤等高速数据传输、汽车/工业/太阳能等功率芯片,都将对化合物半导体产生强劲的需求。由三安光电研发的Ⅲ-V族化合物半导体材料的应用领域从原有的LED外延片、芯片,延伸到了光通讯器件、射频与滤波器、功率型半导体三个新领域,基本涵盖了今后Ⅲ-V族化合物半导体材料应用的重要领域。
  建议关注:【三安光电】全工艺平台布局,持续加码化合物半导体,III-V族化合物半导体是三安光电下一个十年的核心成长驱动力
  风险提示:下游需求不及预期、5G进展不及预期、汽车电气化进展不及预期。
  

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